APT58MJ50J

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型號(hào)
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廠商
封裝
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說(shuō)明
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功能描述
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
制造商
microsemi corporation
系列
POWER MOS 8??
包裝
管件
零件狀態(tài)
初步
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
58A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
340nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
13500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
540W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
65 毫歐 @ 42A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應(yīng)商器件封裝
ISOTOP?
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APT58MJ50J 技術(shù)參數(shù)

APT58M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 43A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT58M50JU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:10800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT58M50JU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10800pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT58M50JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:10800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT58M50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60D100BG APT60D100LCTG APT60D100SG APT60D120BG APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG APT60D30BG APT60D30LCTG APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG