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APTB1612LQBDCGKC

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APTB1612LQBDCGKC
    APTB1612LQBDCGKC

    APTB1612LQBDCGKC

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會(huì)B座10012M

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 175000

  • Kingbright

  • LED原廠規(guī)格

  • 23+

  • -

  • 真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
APTB1612LQBDCGKC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Blue, Green 465nm Blue, 570nm Green LED Indication - Discrete 2.7V Blue, 1.9V Green 4-SMD, No Lead
  • 制造商
  • kingbright
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 顏色
  • 藍(lán)，綠
  • 透鏡顏色
  • 無(wú)色
  • 透鏡透明度
  • 透明
  • 毫燭光等級(jí)
  • 12mcd 藍(lán)，3mcd 綠
  • 透鏡樣式/尺寸
  • 矩形，帶平頂，1.20mm x 1.25mm
  • 電壓 - 正向（Vf）（典型值）
  • 2.7V 藍(lán)，1.9V 綠
  • 電流 - 測(cè)試
  • 2mA 藍(lán)，2mA 綠
  • 視角
  • 120°
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 波長(zhǎng) - 主
  • 465nm 藍(lán)，570nm 綠
  • 波長(zhǎng) - 峰值
  • 460nm 藍(lán)，574nm 綠
  • 特性
  • -
  • 封裝/外殼
  • 4-SMD，無(wú)引線
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 4-SMD
  • 大小/尺寸
  • 1.60mm 長(zhǎng) x 1.25mm 寬
  • 高度（最大值）
  • 0.85mm
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,000
APTB1612LQBDCGKC 技術(shù)參數(shù)
  • APTB1612ESGC-F01 功能描述:Green, Red 568nm Green, 617nm Red LED Indication - Discrete 2.2V Green, 2V Red 0605 (1613 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 顏色:綠，紅 透鏡顏色:無(wú)色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級(jí):12mcd 綠，7mcd 紅 透鏡樣式/尺寸:矩形，帶平頂，1.20mm x 1.25mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.2V 綠，2V 紅 電流 - 測(cè)試:20mA 綠，20mA 紅 視角:120° 安裝類型:表面貼裝 波長(zhǎng) - 主:568nm 綠，617nm 紅 波長(zhǎng) - 峰值:565nm 綠，627nm 紅 特性:- 封裝/外殼:0605（1613 公制） 供應(yīng)商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:1.60mm 長(zhǎng) x 1.25mm 寬 高度（最大值）:0.65mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT9M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2605pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT9F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2606pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT97N65LC6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:97A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 48.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 2.96mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7650pF @ 25V 功率 - 最大值:862W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):380A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:446W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:29ns/226ns 測(cè)試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG APTC60AM35T1G APTC60AM42F2G APTC60AM45B1G APTC60AM45BC1G
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