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APTCV90TL12T3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APTCV90TL12T3G
    APTCV90TL12T3G

    APTCV90TL12T3G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • POWER MODULE IGBT QU

  • 22+

  • -
  • APTCV90TL12T3G
    APTCV90TL12T3G

    APTCV90TL12T3G

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • SP6

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
APTCV90TL12T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTCV90TL12T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTCV60TLM99T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級(jí)反相器 - IGBT,F(xiàn)ET 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):1.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60TLM70T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級(jí)反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 APTCV60TLM45T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT3 SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級(jí)反相器 - IGBT,F(xiàn)ET 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60TLM24T3G 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級(jí)反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 APTCV60HM70RT3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:單相橋式整流器 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTD1608LZGCK APTD1608QBC/D APTD1608SEC/J3 APTD1608SECK APTD1608SECK/J3-PF APTD1608SECK/J4-PF APTD1608SURCK APTD1608SYC/J3 APTD1608SYCK APTD1608SYCK/J3-PF APTD1608VBC/D APTD1608ZGC APTD1608ZGCK APTD2012LCGCK APTD2012LQBC/D APTD2012LSURCK APTD2012LSYCK APTD2012LVBC/D
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