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APTGF10X120E2G

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  • APTGF10X120E2G
    APTGF10X120E2G

    APTGF10X120E2G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 170

  • APT

  • 10A/1200V/IGBT/6U

  • 2024+

  • -
  • 全新現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢

  • APTGF10X120E2G
    APTGF10X120E2G

    APTGF10X120E2G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

  • MODULE

  • 最新批號(hào)

  • -
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF10X120E2G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGF100SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF100DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙,共源 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF100DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF100DA120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 130A 735W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:735W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF100A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF15A120T1G APTGF15H120T1G APTGF15H120T3G APTGF15X120T3G APTGF165A60D1G APTGF165DA60D1G APTGF165SK60D1G APTGF180A60TG APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G
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