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APTGT100A602G

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  • APTGT100A602G
    APTGT100A602G

    APTGT100A602G

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOD IGBT 600V 150A S

  • 22+

  • -

  • APTGT100A602G
    APTGT100A602G

    APTGT100A602G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOD IGBT 600V 150A SP2
APTGT100A602G 技術參數
  • APTGT100A170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:560W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT100A170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 200A 695W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:695W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:3mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT100A120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 140A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT100A120T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 140A 595W Through Hole SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:595W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT100A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 150A 520W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:3mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G APTGT100H170G APTGT100H60T3G APTGT100H60TG APTGT100SK120D1G APTGT100SK120TG APTGT100SK170D1G APTGT100SK170TG
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