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APTGTQ100DA65T1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APTGTQ100DA65T1G
    APTGTQ100DA65T1G

    APTGTQ100DA65T1G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • POWER MODULE - IGBT

  • 22+

  • -

  • APTGTQ100DA65T1G
    APTGTQ100DA65T1G

    APTGTQ100DA65T1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTGTQ100DA65T1G
    APTGTQ100DA65T1G

    APTGTQ100DA65T1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APTGTQ100DA65T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類型
  • -
  • 配置
  • 升壓斬波器
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 650V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 100A
  • 功率 - 最大值
  • 250W
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 2.2V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 100μA
  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
  • 6nF @ 25V
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 是
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP1
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APTGTQ100DA65T1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGTQ100A65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT75X60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT75TL60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT75TDU60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 600V 100A 250W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三，雙 - 共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT75TDU120PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1200V 100A 350W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三，雙 - 共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:5.34nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGV100H60T3G APTGV15H120T3G APTGV25H120BG APTGV25H120T3G APTGV30H60T3G APTGV50H120BTPG APTGV50H120T3G APTGV50H60BG APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ
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