APTM120UM70DAG

配單專家企業(yè)名單

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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

APTM120UM70DAG
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 17
22+
-

APTM120UM70DAG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTM120UM70DAG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

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功能描述
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM120UM70DAG 技術參數(shù)

APTM120U10SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:116A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 58A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120U10SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:116A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 58A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120U10DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:116A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 58A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120TDU57PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:684 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM120TA57FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:684 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG