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APTMC60TLM55CT3AG

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  • APTMC60TLM55CT3AG
    APTMC60TLM55CT3AG

    APTMC60TLM55CT3AG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTMC60TLM55CT3AG
    APTMC60TLM55CT3AG

    APTMC60TLM55CT3AG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • TUBE

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APTMC60TLM55CT3AG
    APTMC60TLM55CT3AG

    APTMC60TLM55CT3AG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

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  • 1
APTMC60TLM55CT3AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 250 W 49 mOhm 98 nC Power Module Mosfet
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
APTMC60TLM55CT3AG 技術(shù)參數(shù)
  • APTMC60TLM14CAG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（三級(jí)反相器） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:219A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC60TL11CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（三級(jí)反相器） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:98 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:49nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC170AM60CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2.5mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:190nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3080pF @ 1000V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC170AM30CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:106A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:380nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6160pF @ 1000V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120TAM34CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:74A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:161nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ
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