AS4PDHM3_A/H

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功能描述
Diode Avalanche 200V 2.4A Surface Mount TO-277A (SMPC)
制造商
vishay semiconductor diodes division
系列
汽車級(jí)，AEC-Q101，eSMP?
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
二極管類型
雪崩
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
200V
電流 - 平均整流（Io）
2.4A
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 4A
速度
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
1.8μs
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
10μA @ 200V
不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
60pF @ 4V，1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-277，3-PowerDFN
供應(yīng)商器件封裝
TO-277A（SMPC）
工作溫度 - 結(jié)
-55°C ~ 175°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,500

AS4PDHM3_A/H 技術(shù)參數(shù)

AS4PDHM3/87A 功能描述:Diode Avalanche 200V 2.4A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:eSMP? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2.4A（DC）不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:962mV @ 2A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:1.8μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-277，3-PowerDFN 供應(yīng)商器件封裝:TO-277A（SMPC）工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,500 AS4PDHM3/86A 功能描述:Diode Avalanche 200V 2.4A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:eSMP? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2.4A（DC）不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:962mV @ 2A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:1.8μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-277，3-PowerDFN 供應(yīng)商器件封裝:TO-277A（SMPC）工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 AS4C8M32SA-7BCNTR 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 90TFBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售存儲(chǔ)器類型:易失存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM 存儲(chǔ)容量:256Mb （8M x 32）時(shí)鐘頻率:143MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):2ns 訪問時(shí)間:5.4ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:90-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:90-FBGA（8x13）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 AS4C8M32SA-7BCN 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 90TFBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲(chǔ)器類型:易失存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM 存儲(chǔ)容量:256Mb （8M x 32）時(shí)鐘頻率:143MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):2ns 訪問時(shí)間:5.4ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:90-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:90-FBGA（8x13）標(biāo)準(zhǔn)包裝:190 AS4C8M32SA-6BINTR 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售存儲(chǔ)器類型:易失存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM 存儲(chǔ)容量:256Mb （8M x 32）時(shí)鐘頻率:166MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):2ns 訪問時(shí)間:5ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:90-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:90-FBGA（8x13）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 AS4PJHM3/86A AS4PJHM3/87A AS4PJHM3_A/H AS4PJHM3_A/I AS4PJ-M3/86A AS4PJ-M3/87A AS4PKHM3/86A AS4PKHM3/87A AS4PKHM3_A/H AS4PKHM3_A/I AS4PK-M3/86A AS4PK-M3/87A AS4PMHM3/86A AS4PMHM3/87A AS4PMHM3_A/H AS4PMHM3_A/I AS4PM-M3/86A AS4PM-M3/87A