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AT64L7218SHC4M

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功能描述
512 MB DDR1 SINGLE RANK UNBUFFER
制造商
atp electronics, inc.
系列
-
零件狀態(tài)
在售
存儲器類型
DDR SDRAM
存儲容量
512MB
封裝/外殼
200-SODIMM
標(biāo)準(zhǔn)包裝
200

AT64L7218SHC4M 技術(shù)參數(shù)

AT64L64K6SHC4M 功能描述:512 MB DDR1 DUAL RANK UNBUFFERRE 制造商:atp electronics, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:512MB 封裝/外殼:200-SODIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AT641TAT-8IN-TSCREEN AT-64023 功能描述:TRANS NPN BIPO 20V 200MA 230-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD（230 密耳 BeO）供應(yīng)商器件封裝:230 mil Be0 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 AT-64020 功能描述:TRANS NPN BIPO 20V 200MA 200-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD（200 密耳 BeO）供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 AT-64000-GP4 功能描述:RF Transistor NPN 20V 200mA 3W Surface Mount 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 AT-7.994MDGI-T AT-7.994MDII-T AT-7000-R AT-7000-T AT701 AT702 AT-7020 AT-7030 AT711 AT712 AT713 AT714 AT715 AT715-12 AT715-6 AT716 AT717 AT718