AUIRLS4030TRL

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

AUIRLS4030TRL
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
IR
D2PAK
22+
-
十年配單，只做原裝

AUIRLS4030TRL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

AUIRLS4030TRL
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180
22+
-

AUIRLS4030TRL
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
D2PAK
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

AUIRLS4030TRL
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
800
INTERNATI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET 100V 180A 4.3 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRLS4030TRL 技術(shù)參數(shù)

AUIRLS4030-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRLS4030-7P 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLS4030 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLS3114Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 56A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3617pF @ 25V 功率 - 最大值:143W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLS3036TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 165A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11210pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZL AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR AUIRS2110S AUIRS2112S AUIRS2113S AUIRS2113STR