ATP404-TL-H

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功能描述
MOSFET POWER MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ATP404-TL-H 技術(shù)參數(shù)

ATP404-H-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP401-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:17000pF @ 20V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP304-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13000pF @ 20V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP302-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5400pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP301-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y ATPL210DK-99 ATPL210SK-99 ATPL21SFLT-99 ATPL21SFPR-99 ATPL220A-A1U-Y ATPL230A-AKU-R ATPL230A-AKU-Y ATPL230A-EK