參數(shù)資料
型號： APT2X30D60J
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 雙超快軟恢復(fù)整流二極管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： APT2X30D60J
MIN
TYP
MAX
50
65
50
80
155
155
4
10
7.5
15
100
300
5
5
400
200
UNIT
ns
Amps
nC
Volts
A/
μ
s
APT2X30/2X31D60J
Characteristic
Reverse Recovery Time, I
F
= 1.0A, di
F
/dt
= -15A/
μ
s, V
R
= 30V,
T
J
= 25
°
C
Reverse Recovery Time
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/
μ
s, V
R
= 350V
Forward Recovery Time
I
F
= 30A, di
F
/dt
= 240A/
μ
s, V
R
= 350V
Reverse Recovery Current
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/
μ
s, V
R
= 350V
Recovery Charge
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/
μ
s, V
R
= 350V
Forward Recovery Voltage
I
F
= 30A, di
F
/dt
= 240A/
μ
s, V
R
= 350V
Rate of Fall of Recovery Current
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/
μ
s, V
R
= 350V (See Figure 10)
10
-5
10
-4
10
-3
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
10
-2
10
-1
1.0
10
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
t
rr1
t
rr2
t
rr3
t
fr1
t
fr2
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
V
fr1
V
fr2
diM/dt
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
Z
θ
J
,
°
C
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Junction-to-Case Thermal Resistance
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
RMS Voltage (
50-60 Hz Sinusoidal Waveform from Terminals to Mounting Base for 1 Min.
)
Package Weight
Maximum Torque (
Mounting = 8-32 or 4mm Machine and Terminals = 4mm Machine
)
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
V
Isolation
W
T
Torque
MIN
TYP
MAX
0.90
20
2500
1.03
29.2
13.6
1.5
UNIT
°
C/W
Volts
oz
gm
lbin
Nm
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT2X31D60J ULTRAFAST SOFT RECOVERY DUAL RECTIFIER DIODES
APT2X31D100J CONNECTOR ACCESSORY
APT30M90AVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT40GF120JRD The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs
APT50GF120B2R The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
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參數(shù)描述
APT2X30D80J 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B
APT2X30D90J 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B
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APT2X30DC60J 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE
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