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B82412A1392K

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  • B82412A1392K
    B82412A1392K

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • B82412A1392K000
    B82412A1392K000

    B82412A1392K000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

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  • -
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B82412A1392K PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • Ind Chip Wirewound 3.9uH 10% 1MHz 30Q-Factor Ferrite 190mA 1210 Blister T/R
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1210 3,9 UH 10% - Tape and Reel
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1210 3,9 UH 10% - Tape and Reel
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1210 3.9UH 10%
B82412A1392K 技術參數(shù)
  • B82412A1392J 功能描述:3.9μH Unshielded Wirewound Inductor 190mA 1.35 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.9μH 容差:±5% 額定電流:190mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1.35 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:2,500 B82412A1332K 功能描述:3.3μH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.1 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±10% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1.1 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:160MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:2,500 B82412A1332J 功能描述:3.3μH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.1 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±5% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1.1 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:160MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:2,500 B82412A1272M 功能描述:2.7μH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 1.05 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.7μH 容差:±20% 額定電流:220mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1.05 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:180MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:2,500 B82412A1272K 功能描述:2.7μH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 1.05 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.7μH 容差:±10% 額定電流:220mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1.05 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:180MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:2,500 B82412A1822K B82412A3100K B82412A3100M B82412A3101J B82412A3101K B82412A3120K B82412A3120M B82412A3121J B82412A3121K B82412A3121M B82412A3150K B82412A3150M B82412A3151J B82412A3151K B82412A3151K8 B82412A3180K B82412A3180M B82412A3181J
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