B82422H1684J000

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說明
操作

B82422H1684J000
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
1899
TDK
NA
近兩年
-
查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

B82422H1684J000
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
11630
EPCOS
原廠原裝
18+
-
原裝正品，優(yōu)勢供應(yīng)

B82422H1684J000
深圳市源運電子商行
深圳市源運電子商行
聯(lián)系人：林先生
電話：15913992480
地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓
8467
EPCOS
n/a
16+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
固定電感器 SMT-INDUCTOR 1210-H 680UH 5%
RoHS
否
制造商
AVX
電感
10 uH
容差
20 %
最大直流電流
1 A
最大直流電阻
0.075 Ohms
工作溫度范圍
- 40 C to + 85 C
自諧振頻率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接類型
SMD/SMT
封裝 / 箱體
6.6 mm x 4.45 mm

B82422H1684J000 技術(shù)參數(shù)

B82422H1684J 功能描述:680μH Unshielded Wirewound Inductor 61mA 31 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680μH 容差:±5% 額定電流:61mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:31 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:20 @ 796kHz 頻率 - 自諧振:3MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:796kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 B82422H1683K 功能描述:68μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 3.4 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±10% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.4 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:15 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422H1683J000 功能描述:FIXED IND 68UH 180MA 3.4 OHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±5% 額定電流:180mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.4 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:15 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，J 形引線供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 B82422H1683J 功能描述:68μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 3.4 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.4 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:15 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 B82422H1682K 功能描述:6.8μH Unshielded Wirewound Inductor 570mA 350 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:6.8μH 容差:±10% 額定電流:570mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:350 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:10 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:35MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422T1103K B82422T1103K008 B82422T1103K8 B82422T1104J B82422T1104K B82422T1104K008 B82422T1104K8 B82422T1121J B82422T1121J000 B82422T1121K B82422T1121K000 B82422T1121K008 B82422T1121K8 B82422T1122J B82422T1122J000 B82422T1122K B82422T1122K000 B82422T1122K008