B82462G4105M000

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

B82462G4105M000
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
愛普科斯
22+
-
原裝正品

1/1頁 40條/頁共1條
1

您是不是要找： B82462G4152M B82462G4153M B82462G4154M B82462G4222M B82462G4223M B82462G4224M B82462G4332M B82462G4333M B82462G4334M

B82462G4105M000 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

B82462G4105M000 PDF下載

功能描述
FIXED IND 1MH 160MA 6 OHM SMD
制造商
epcos (tdk)
系列
B82462G4
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
在售
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
1mH
容差
±20%
額定電流
160mA
電流 - 飽和值
130mA
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
6 歐姆最大
不同頻率時的 Q 值
-
等級
AEC-Q200
工作溫度
-55°C ~ 150°C
頻率 - 測試
100kHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
非標準
供應商器件封裝
-
大小/尺寸
0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.118"（3.00mm）
標準包裝
2,500

B82462G4105M000 技術參數

B82462G4105M 功能描述:1mH Shielded Wirewound Inductor 160mA 6 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1mH 容差:±20% 額定電流:160mA 電流 - 飽和值:130mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:6 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標準包裝:2,500 B82462G4104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 530mA 580 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100μH 容差:±20% 額定電流:530mA 電流 - 飽和值:420mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:580 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標準包裝:1 B82462G4103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 62 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:62 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標準包裝:1 B82462G4102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 16 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.4A 電流 - 飽和值:4.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:16 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標準包裝:1 B82462G2821M 功能描述:820nH Shielded Wirewound Inductor 3.25A 17 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820nH 容差:±20% 額定電流:3.25A 電流 - 飽和值:4.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:17 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G4472M B82462G4473M B82462G4474M B82462G4682M B82462G4683M B82462G4684M B82462G4684M000 B82462X0004 B82462X00040000 B82462X004 B82462X4 B82464A2102M B82464A2103M B82464A2104K B82464A2152M B82464A2153K B82464A2154K B82464A2222M