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B82464G4273M

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  • B82464G4273M
    B82464G4273M

    B82464G4273M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • B82464G4273M
    B82464G4273M

    B82464G4273M

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937909

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 420

  • EPCOS

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
B82464G4273M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10 27 UH 2,0 A
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10 27 UH 2,0 A - Tape and Reel
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10 27UH 2.0A
B82464G4273M 技術參數(shù)
  • B82464G4224M 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 700mA 440 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:220μH 容差:±20% 額定電流:700mA 電流 - 飽和值:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):440 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:4MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 2.25A 52 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:2.25A 電流 - 飽和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):52 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:13MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 6.5A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:6.5A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):10 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:72MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4154M 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 320 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):320 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:4.5MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4153M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 2.75A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:2.75A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4684M B82464G4821M B82464G4821M000 B82464P4102M B82464P4102M000 B82464P4103M B82464P4104M B82464P4105M B82464P4105M000 B82464P4153M B82464P4154M B82464P4154M000 B82464P4223M B82464P4224M B82464P4224M000 B82464P4332M B82464P4332M000 B82464P4333M
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