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B82476B1682M100

配單專家企業(yè)名單
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  • B82476B1682M100
    B82476B1682M100

    B82476B1682M100

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937909

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1500

  • EPCOS

  • 13+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • B82476B1682M100
    B82476B1682M100

    B82476B1682M100

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
B82476B1682M100 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 13X9 6,8UH 4.6A
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • INDUCTOR PWR 6.8UH 4.8A 20
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • INDUCTOR, PWR, 6.8UH, 4.8A, 20%, 0.1MHZ, Product Range
B82476B1682M100 技術(shù)參數(shù)
  • B82476B1474M100 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 1.1 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82476B1 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:550mA 電流 - 飽和值:500mA 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.510" 長(zhǎng) x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.200"（5.08mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82476B1473M100 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 1.95A 120 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82476B1 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.95A 電流 - 飽和值:1.6A 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:120 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.510" 長(zhǎng) x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.200"（5.08mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82476B1472M100 功能描述:4.7μH Unshielded Wirewound Inductor 5.3A 16.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82476B1 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:5.3A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:16.5 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.510" 長(zhǎng) x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.200"（5.08mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82476B1334M100 功能描述:330μH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 810 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82476B1 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:600mA 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:810 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.510" 長(zhǎng) x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.200"（5.08mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82476B1333M100 功能描述:33μH Unshielded Wirewound Inductor 2.3A 88 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82476B1 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:2A 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:88 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.510" 長(zhǎng) x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.200"（5.08mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82477D4223M000 B82477D4302M000 B82477D4333M000 B82477D4472M000 B82477D4473M B82477D4473M000 B82477D4682M000 B82477D4683M000 B82477G2102M B82477G2103M B82477G2104M B82477G2105M B82477G2105M000 B82477G2123M B82477G2123M000 B82477G2132M B82477G2132M000 B82477G2153M
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