BC848CWE6327BTSA1

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： BC848CWH6327XTSA1 BC848CWT1G BC848W,115 BC848W,135 BC849AMTF BC849AW RFG BC849B,215 BC849B,235 BC849BE6327HTSA1

BC848CWE6327BTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

BC848CWE6327BTSA1 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-323

BC848CWE6327BTSA1 技術(shù)參數(shù)

BC848CW-7-F 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC848CW RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC848C-TP 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC848CT116 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SST3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC848CPDW1T1G 功能描述:TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC849BLT1 BC849BLT1G BC849BLT3 BC849BLT3G BC849BMTF BC849B-TP BC849BW RFG BC849BW,115 BC849BW,135 BC849C,215 BC849C,235 BC849CE6327HTSA1 BC849CLT1 BC849CLT1G BC849CMTF BC849C-TP BC849CW RFG BC849CW,115