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BCR 101T E6327

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BCR 101T E6327
    BCR 101T E6327

    BCR 101T E6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
BCR 101T E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN 50V 50MA SC-75
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10,000
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN - 預(yù)偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)
  • 47k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐)
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)
  • 300mV @ 500µA,10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • -
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換
  • 100MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PG-SOT323-3
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 其它名稱
  • SP000756242
BCR 101T E6327 技術(shù)參數(shù)
  • BCR 101L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):100k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):100k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BCP69TA 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:Digi-Reel? 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):63 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCP69T1G 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCP69T1 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BCP6925TC 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):160 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BCR 112T E6327 BCR 114F E6327 BCR 114L3 E6327 BCR 114T E6327 BCR 116F E6327 BCR 116L3 E6327 BCR 116S E6727 BCR 116S H6727 BCR 116T E6327 BCR 119 E6433 BCR 119F E6327 BCR 119L3 E6327 BCR 119T E6327 BCR 129F E6327 BCR 129L3 E6327 BCR 129T E6327 BCR 133 B6327 BCR 133F B6327
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