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BCR166E6433HTMA1

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • AF DIGITAL TRANSISTORS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23
BCR166E6433HTMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BCR166E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:160MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCR166B6327HTLA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:160MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 BCR162E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):4.7k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR158WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR158WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR16CM-16LB#BB0 BCR16CM-16LH#BB0 BCR16CS-16LB#B00 BCR16CS-16LBT1#BH0 BCR16FM-14LB#FA0 BCR16FM-14LJ#BB0 BCR16FR-12LB#BB0 BCR16LM-16LH-1#B00 BCR16PM-12LG#B00 BCR16PM-16LH-1#B00 BCR16PM-16LH-1#C0A BCR16RM-12LB#B00 BCR183E6327HTSA1 BCR183E6359HTMA1 BCR183E6433HTMA1 BCR183SE6327BTSA1 BCR183SE6433BTMA1 BCR183SH6327XTSA1
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