BDP953E6327HTSA1

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： BDP953H6327XTSA1 BDP954E6327HTSA1 BDP954H6327XTSA1 BDR-924B BDR-924G BDR-924R BDR-999B BDR-999G BDR-999R

BDP953E6327HTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BDP953E6327HTSA1 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans GP BJT NPN 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
AF TRANSISTORS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TRANSISTOR NPN AF 100V SOT-223

BDP953E6327HTSA1 技術參數

BDP950H6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP 60V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時間晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BDP950E6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP 60V 3A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BDP949H6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN 60V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時間晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BDP949E6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 60V 3A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BDP948H6433XTMA1 功能描述:TRANS PNP 45V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時間晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BDS130 BDS150 BDS210 BDS220 BDS240 BDS250 BDS265 BDS280 BDS28045 BDS290 BDS2A100100KJ BDS2A100100RJ BDS2A100100RK BDS2A10010KK BDS2A10010RK BDS2A100150RK BDS2A10015RK BDS2A1001K0K