BDW53C-S

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功能描述
達林頓晶體管 100V 4A NPN
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶體管極性
NPN
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
集電極—基極電壓 VCBO
最大直流電集電極電流
0.5 A
最大集電極截止電流
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-18
封裝
Reel

BDW53C-S 技術(shù)參數(shù)

BDW53B-S 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BDW53A-S 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BDW47G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 50mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:85W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BDW47 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 50mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:85W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BDW46G 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 15A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 50mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:85W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BDW63D-S BDW64B-S BDW64C-S BDW64D-S BDW64-S BDW73A-S BDW73B-S BDW73C-S BDW74A-S BDW74B-S BDW74C-S BDW74-S BDW83A-S BDW83B-S BDW83C BDW83C-S BDW83C-TO218 BDW83D-S