BFR 93AW E6327

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封裝
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操作

BFR 93AW E6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BFR 93AW E6327
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT323-3
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

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功能描述
射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶體管極性
NPN
最大工作頻率
7000 MHz
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
15 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
2 V
集電極連續(xù)電流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集電極/Base Gain hfe Min
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
SOT-223
封裝
Reel

BFR 93AW E6327 技術(shù)參數(shù)

BFR 93A E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:90mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 92W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 45mA 5GHz 280mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:11.5dB ~ 17dB 功率 - 最大值:280mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BFR 92P E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 45mA 5GHz 280mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:280mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 740L3RH E6327 功能描述:RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.7V 頻率 - 躍遷:42GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 增益:24.5dB 功率 - 最大值:160mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 740L3 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.7V 頻率 - 躍遷:42GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 增益:24dB 功率 - 最大值:160mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BFR12S3P1 BFR12SA10P1 BFR14S-1P-1 BFR14S1S1 BFR14S2P1 BFR14S-2P-1F80 BFR14S2S1 BFR14S-2S-2 BFR14S5P1 BFR14S-5P1-F80 BFR14S5S1 BFR14S6P1 BFR14S-6S1 BFR14S7P1 BFR14S7S1 BFR14S9P1 BFR14S-9S-1 BFR14S-9S-1F80