BMS4007-1E

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

BMS4007-1E
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 60A
22+
-

BMS4007-1E
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯(lián)系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1097
ON/安森美
NA
15+
-

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BMS-D-48 BMS-DA-48 BMS-S-48 BMS-SA-48 BMVK100ADA150ME60G BMVK100ADA330MF60G BMVK100ADA6R8MD60G BMVK160ADA100ME60G BMVK160ADA220MF60G

BMS4007-1E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BMS4007-1E PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
75V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
60A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
7.8 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
160nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
9700pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝
TO-220ML
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

BMS4007-1E 技術(shù)參數(shù)

BMS4007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMS4003 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:680pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMS3004-1E 功能描述:MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:68A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13400pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BMS3003-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:78A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BMS3003 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:78A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMVK160ADA4R7MD60G BMVK250ADA150MF60G BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G BMVK500ADAR22MD60G BMVK500ADAR33MD60G BMVK500ADAR47MD60G