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BS170-D27Z
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室
3000
ON
SOP8
21+
-
原裝現(xiàn)貨

BS170-D27Z
深圳市百域芯科技有限公司
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聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

BS170-D27Z
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ONS
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BS170-D27Z
深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
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聯(lián)系人：曾小姐
電話：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格科技園4棟西10樓C052房間
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
40000
Onsemi
TO-92-3 LF
23+
-
原裝正品現(xiàn)貨，假1罰100

BS170-D27Z
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1713室
6000
ON/安森美
SMD
20+
-
訂貨中可預(yù)訂

BS170-D27Z
深圳市企諾德電子有限公司
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聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
ON/安森美
22+
N/A
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

BS170-D27Z
深圳市科宏特電子有限公司
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聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
ON
22+
-
原裝正品

BS170-D27Z
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
2000
FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT
主營(yíng)優(yōu)勢(shì)
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
500mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
40pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
5 歐姆 @ 200mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-92-3
封裝/外殼
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）
基本零件編號(hào)
BS170
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BS170-D27Z 技術(shù)參數(shù)

BS170-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號(hào):BS170 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170_L34Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS170_J35Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS170_D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170_D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170RLRA BS170RLRAG BS170RLRMG BS170RLRP BS170RLRPG BS170ZL1G BS-175.000MBB-T BS-175.000MBC-T BS-175.000MCB-T BS-175.000MCC-T BS-187.500MBB-T BS-187.500MBC-T BS-187.500MCB-T BS-187.500MCC-T BS18-C BS18-L BS18-M BS1-IC