BS2540-7R

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BS2540-7R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Bel Power Solutions
原廠封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BS2540-7R
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Bel Power Solutions
原廠封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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功能描述
EURO-CASSETTE 100W 2X 15V
RoHS
否
類別
電源 - 外部/內(nèi)部（非板載） >> DC DC Converters
系列
*
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
Quint
類型
隔離
輸入電壓
24V
輸出
24V
輸出數(shù)
1
輸出 - 1 @ 電流（最大）
24 VDC @ 50A
輸出 - 2 @ 電流（最大）
-
輸出 - 3 @ 電流（最大）
-
輸出 - 4 @ 電流（最大）
-
功率（瓦特）
1200W
安裝類型
底座安裝
工作溫度
0°C ~ 40°C
效率
-
封裝/外殼
模塊
尺寸/尺寸
4.33" L x 9.09" W x 6.14" H（110mm x 231mm x 156mm）
包裝
散裝
電源（瓦特）- 最大
1200W
批準(zhǔn)
-
其它名稱
277-69722866365-NDQUINT-BAT/24DC/12AH

BS2540-7R 技術(shù)參數(shù)

BS250PSTZ 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:E-Line-3 供應(yīng)商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS250PSTOB 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:E-Line-3 供應(yīng)商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS250P 功能描述:MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BS250KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM 制造商:vishay siliconix 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-18RM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS250FTC 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:25pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BS2I BS2-IC BS2I-HD BS2I-IC BS2I-MC BS2LA BS2P24 BS2P40 BS2PE BS2P-SHF-1AA(LF)(SN) BS2PX24 BS2RC24 BS2SX-IC BS2T-HD BS2XC24 BS-3 BS-300.000MBB-T BS-300.000MBC-T