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BSB044N08NN3GXUMA1

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  • BSB044N08NN3GXUMA1
    BSB044N08NN3GXUMA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • BSB044N08NN3GXUMA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

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  • C72-晶體管

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  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 80V 18A 7-Pin WDSON
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
BSB044N08NN3GXUMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSB044N08NN3 G 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),90A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 97μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):73nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5700pF @ 40V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSB028N06NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),90A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 102μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):143nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):12000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.2W(Ta),78W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB028N06NN3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),90A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 102μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12000pF @ 30V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSB024N03LX G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Ta),145A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4900pF @ 15V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSB0203HA3-00CER 功能描述:20X20X3MM 3V DC FAN, W/SPEED SEN 制造商:delta electronics 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 額定:3VDC 大小/尺寸:方形 - 20mm 長 x 20mm 高 寬度:3.28mm 氣流:0.280 CFM(0.008m3/min) 靜壓力:0.252 英寸水柱(62.8 Pa) 軸承類型:套管 風扇類型:管軸式 特性:轉(zhuǎn)子鎖定保護,速度傳感器(轉(zhuǎn)速表) 噪聲:32.0 dB(A) 功率(W):180mW RPM:10000 RPM 端接:3 位置矩形連接器 侵入防護:- 工作溫度:14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C) 認可:- 重量:0.003 磅(1.36g) 額定電流:0.060A 電壓范圍:2 ~ 3.5VDC 材料 - 框架:塑料 材料 - 刀片:塑料 不同溫度時的使用壽命:40°C 時為 30000 小時 標準包裝:352 BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G
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