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BSC026N04LSATMA1

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  • BSC026N04LSATMA1
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  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSC026N04LSATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

  • 328786

  • INFINEON

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  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • BSC026N04LSATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 328786

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • BSC026N04LSATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 328786

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  • 24+

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSC026N04LSATMA1
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  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 38200

  • INFINEON

  • TDSON-8

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原裝,實單可以支持。075...

  • BSC026N04LSATMA1
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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 60049

  • Infineon Technologies

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 優(yōu)勢代理,公司現(xiàn)貨可開票

  • BSC026N04LSATMA1
    BSC026N04LSATMA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • BSC026N04LSATMA1
    BSC026N04LSATMA1

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  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
    深圳市瑞斯特電子科技有限公司

    聯(lián)系人:楊銳鋒

    電話:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田區(qū)華強廣場二樓Q2B046

  • 60000

  • INFINEON

  • -
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 23A(Ta),100A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 2.6 毫歐 @ 50A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 32nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 2300pF @ 20V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • PG-TDSON-8
  • 標準包裝
  • 1
BSC026N04LSATMA1 技術參數(shù)
  • BSC026N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta),100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):52.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7800pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),78W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 50A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC026N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 50A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):52.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7800pF @ 10V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC025N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):23A(Ta). 100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7600pF @ 15V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC025N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6100pF @ 15V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC024NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta),100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),48W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC029N025S G BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 BSC037N025S G
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