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BSH-020-01-C-D-A

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSH-020-01-C-D-A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • .5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY
  • 制造商
  • samtec inc.
  • 系列
  • BSH
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 連接器類型
  • 插口,中央觸點帶
  • 針腳數(shù)
  • 40
  • 間距
  • 0.020"(0.50mm)
  • 排數(shù)
  • 2
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 特性
  • 板導軌
  • 觸頭鍍層
  • 觸頭鍍層厚度
  • 50μin(1.27μm)
  • 接合堆疊高度
  • 5mm
  • 板上高度
  • 0.128"(3.25mm)
  • 標準包裝
  • 1
BSH-020-01-C-D-A 技術參數(shù)
  • BSG0813NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A, 33A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1100pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSG0811NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A, 41A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1100pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:1 BSG0810NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A, 39A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1040pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSF-HD 功能描述:9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效 電池類型,功能:9V,卡入式觸點(單) 樣式:觸點,卡入式(正極) 電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義 端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標準包裝:1,000 BSF450NE7NH3XUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta),15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):390pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2 BSH-030-01-F-D-LC BSH-030-01-F-D-LC-TR BSH-030-01-F-D-RA-WT BSH-030-01-F-D-RA-WT-GP BSH-030-01-F-D-TR BSH-030-01-H-D
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