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BSL716SNH6327XTSA1

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  • BSL716SNH6327XTSA1
    BSL716SNH6327XTSA1

    BSL716SNH6327XTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • BSL716SNH6327XTSA1
    BSL716SNH6327XTSA1

    BSL716SNH6327XTSA1

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 8435

  • INFINEON/英飛凌

  • NA

  • 23+

  • -

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BSL716SNH6327XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 2.5A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 150 毫歐 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.8V @ 218μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 13.1nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 315pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 2W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-TSOP6-6
  • 標準包裝
  • 3,000
BSL716SNH6327XTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSL606SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL373SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:265pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP-6-1 標準包裝:3,000 BSL372SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:329pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:3,000 BSL316CL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL316CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:282pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSM120D12P2C005 BSM150GB60DLCHOSA1 BSM150GD60DLC BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1
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