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BSR315PL6327HTSA1

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    BSR315PL6327HTSA1

    BSR315PL6327HTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • INFINEON

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • P-KANAL - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
BSR315PL6327HTSA1 技術參數
  • BSR315PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:620mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 620mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 160μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:176pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR31,135 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.35W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BSR31 標準包裝:1 BSR31,115 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.35W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BSR31 標準包裝:1 BSR30F 功能描述:BSR30/SOT89/MPT3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，5V 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:4,000 BSR302NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:750pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR43,115 BSR43TA BSR50 BSR50_D74Z BSR50_J35Z BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1 BSR802N L6327 BSR802NL6327HTSA1 BSR92PH6327XTSA1 BSR92PL6327HTSA1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2
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