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BSS127 E6327

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BSS127 E6327
    BSS127 E6327

    BSS127 E6327

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • Infineon

  • SOT-23

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,價(jià)格超越代理!

  • BSS127 E6327
    BSS127 E6327

    BSS127 E6327

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 14525

  • INFINEON

  • SOT-23

  • 0542+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BSS127 E6327
    BSS127 E6327

    BSS127 E6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共14條 
  • 1
BSS127 E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • SIPMOS®
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
BSS127 E6327 技術(shù)參數(shù)
  • BSS126L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.1nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS126L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.1nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS126H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):28pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS126H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.1nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS126H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):28pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS131L6327HTSA1 BSS138 BSS138_D87Z BSS138_F085 BSS138_L99Z BSS138-7 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13
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