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BSS84PL6327HTSA1

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  • BSS84PL6327HTSA1
    BSS84PL6327HTSA1

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會軒3607

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

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  • BSS84PL6327HTSA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

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  • BSS84PL6327HTSA1
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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 6000

  • 英飛凌

  • NA

  • 19+

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BSS84PL6327HTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
BSS84PL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSS84PH6433XTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PH6327XTSA2 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:19pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 170mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84P-E6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84WQ-7-F BSS87 E6433 BSS87,115 BSS87E6327 BSS87E6327T BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115
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