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BSZ16DN25NS3GATMA1

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  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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    電話:13969210552

    地址:中國上海

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  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
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  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 8200

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  • 十年芯途,只做原裝,實單可以支持。075...

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 329193

  • INFINEON

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  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

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  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

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  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人:吳小姐

    電話:852906044930755-82762262

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會軒2506

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

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  • 全新原裝正品

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 功能描述
  • Infineon Technologies BSZ16DN25NS3GATMA1 MOSFETs
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
BSZ16DN25NS3GATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ165N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.9A(Ta),31A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):840pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ165N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.9A(Ta),31A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):840pF @ 20V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ160N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 50V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ15DC02KDHXTMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.1A, 3.2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 5.1A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 標準包裝:1 BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C
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