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BUK6E3R2-55C,127

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • BUK6E3R2-55C,127
    BUK6E3R2-55C,127

    BUK6E3R2-55C,127

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK6E3R2-55C,127
    BUK6E3R2-55C,127

    BUK6E3R2-55C,127

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

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  • 1
BUK6E3R2-55C,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHAN 55V 120A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK6E3R2-55C,127 技術(shù)參數(shù)
  • BUK6E2R3-40C,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:260nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:15100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK6E2R0-30C,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:229nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14964pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK6D43-60EX 功能描述:BUK6D43-60E SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:590pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK6D43-40PX 功能描述:BUK6D43-40P SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK6C3R3-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:181A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:253nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:15800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 90A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片），TO-263CB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7109-75ATE,118 BUK714R1-40BT,118 BUK7207-30B,118 BUK7208-40B,118 BUK7210-55B,118 BUK7210-55B/C1,118 BUK7212-55B,118 BUK7213-40A,118 BUK7214-75B,118 BUK72150-55A,118 BUK7215-55A,118 BUK7219-55A,118 BUK7222-55A,118 BUK7225-55A,118 BUK7226-75A,118 BUK7226-75A/C1,118 BUK7227-100B,118 BUK7230-55A,118
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