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BUK7M45-40EX

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUK7M45-40EX
    BUK7M45-40EX

    BUK7M45-40EX

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1210

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • BUK7M45-40EX
    BUK7M45-40EX

    BUK7M45-40EX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK7M45-40EX
    BUK7M45-40EX

    BUK7M45-40EX

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1210

  • -

  • 授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

  • BUK7M45-40EX
    BUK7M45-40EX

    BUK7M45-40EX

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BUK7M45-40EX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 19A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 6.2nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 317pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 31W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 45 毫歐 @ 5A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • LFPAK33
  • 封裝/外殼
  • SOT-1210，8-LFPAK33
  • 標準包裝
  • 1
BUK7M45-40EX 技術(shù)參數(shù)
  • BUK7M42-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:508pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標準包裝:1 BUK7M33-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:628pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標準包裝:1 BUK7M27-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1306pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標準包裝:1 BUK7M22-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:37A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1643pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標準包裝:1 BUK7M21-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:593pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標準包裝:1 BUK7Y113-100EX BUK7Y12-100EX BUK7Y12-40EX BUK7Y12-55B,115 BUK7Y12-80EX BUK7Y13-40B,115 BUK7Y14-80EX BUK7Y15-100EX BUK7Y153-100EX BUK7Y15-60EX BUK7Y18-55B,115 BUK7Y18-75B,115 BUK7Y19-100EX BUK7Y1R7-40HX BUK7Y20-30B,115 BUK7Y21-40EX BUK7Y22-100EX BUK7Y25-40B,115
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