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BUK964R2-55B,118

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • BUK964R2-55B,118
    BUK964R2-55B,118

    BUK964R2-55B,118

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
BUK964R2-55B,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK964R2-55B,118 技術(shù)參數(shù)
  • BUK964R1-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:52.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:182W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9640-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:48nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3072pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK963R3-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13490pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK963R2-40B,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:93.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:10502pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK963R1-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:69.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:9150pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:234W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9675-100A,118 BUK9675-100A/C1J BUK9675-55A,118 BUK968R3-40E,118 BUK969R0-60E,118 BUK969R3-100E,118 BUK98150-55,135 BUK98150-55/CUF BUK98150-55A,135 BUK98150-55A/CUF BUK98180-100A,115 BUK98180-100A/CUX BUK9832-55A,115 BUK9832-55A/CUX BUK9840-55,115 BUK9840-55/CUX BUK9875-100A,115 BUK9875-100A/CUX
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