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BUK9E3R2-40B,127

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • BUK9E3R2-40B,127
    BUK9E3R2-40B,127

    BUK9E3R2-40B,127

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話(huà):13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專(zhuān)業(yè)BOM配單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
BUK9E3R2-40B,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK9E3R2-40B,127 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9E2R8-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):120nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):17450pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9E2R3-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):87.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13160pF @ 25V 功率 - 最大值:293W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9E1R9-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9E1R8-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):120nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):16400pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BUK9E1R6-30E,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):113nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):16150pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9K134-100EX BUK9K13-60EX BUK9K17-60EX BUK9K18-40E,115 BUK9K20-80EX BUK9K22-80EX BUK9K25-40EX BUK9K29-100E,115 BUK9K30-80EX BUK9K32-100EX BUK9K35-60E,115 BUK9K45-100E,115 BUK9K52-60E,115 BUK9K5R1-30EX BUK9K5R6-30EX BUK9K6R2-40E,115 BUK9K6R8-40EX BUK9K89-100E,115
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