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BUK9Y6R0-60E,115

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  • BUK9Y6R0-60E,115 其他連接器
    BUK9Y6R0-60E,115 其他連接器

    BUK9Y6R0-60E,115 其他連接器

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 25200

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 21+原廠授權

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  • ★原廠授權★價超代理★

  • BUK9Y6R0-60E,115
    BUK9Y6R0-60E,115

    BUK9Y6R0-60E,115

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NEXPERIA

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  • BUK9Y6R0-60E,115
    BUK9Y6R0-60E,115

    BUK9Y6R0-60E,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

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  • 16+/17+

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK9Y6R0-60E,115 其他連接器
    BUK9Y6R0-60E,115 其他連接器

    BUK9Y6R0-60E,115 其他連接器

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • -
  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • BUK9Y6R0-60E,115
    BUK9Y6R0-60E,115

    BUK9Y6R0-60E,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

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BUK9Y6R0-60E,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 100A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 39.4nC @ 5V
  • Vgs(最大值)
  • ±10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 6319pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 195W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 5.2 毫歐 @ 25A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • LFPAK56,Power-SO8
  • 封裝/外殼
  • SC-100,SOT-669
  • 標準包裝
  • 1
BUK9Y6R0-60E,115 技術參數(shù)
  • BUK9Y65-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):14nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1523pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):64W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):63.3 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y59-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16.7A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.1nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):715pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):37W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 BUK9Y58-75B,115 功能描述:MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20.73A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10.7nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1137pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60.4W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):53 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y53-100B,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2130pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):75W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y4R8-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):50nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7853pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.1 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BU-L0000-375TIN BU-L0000-500TIN BU-L000-500TIN BU-L00-375 BU-L00-375TIN BU-L00-500TIN BU-L0-375 BU-L0-375TIN BU-L0-500TIN BUL1102E BUL1102EFP BUL1203E BUL1203EFP BUL128 BUL128D-B BUL128FP BUL128-K BU-L1-375TIN
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