BVT261PIV1000

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BVT261PIV1000 技術(shù)參數(shù)

BVSS84LT1G 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:36pF @ 5V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BVSS138LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BVSS123LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BV-SDS-1A 功能描述:SYSTEM DEV BLUEVOX1 SOLUTION 制造商:csr plc 系列:BlueVOX1 零件狀態(tài):過期類型:收發(fā)器; 傳統(tǒng)藍牙? 頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:BlueCore4-音頻 ROM 所含物品:板標準包裝:1 BVSD-2032-SM 功能描述:VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:Snap Dragon 零件狀態(tài):有效電池類型，功能:紐扣電池，座樣式:座（開口）電池尺寸:鈕扣電池，20.0mm 電池數(shù):1 電池系列:2032 安裝類型:PCB，表面貼裝端子類型:SMD（SMT）接片板上高度:1.110"（28.19mm）工作溫度:-40°C ~ 260°C 標準包裝:100 BVX-103-S BVX-200-BLM BVX-ADT BVX-ARM BVX-ARML BVX-BCK BVX-IADT BVX-NOZ1 BW1.5I-D BW1442N BW1442NS BW1443 BW1443S BW-21784-000 BW-21789-000 BW-21810-000 BW-21814-000 BW-2224