BZX84C11W-TP

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封裝
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功能描述
穩(wěn)壓二極管 11V,5mA
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

BZX84C11W-TP 技術(shù)參數(shù)

BZX84C11W-7-F 功能描述:Zener Diode 11V 200mW ±5% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX84C11W-7 功能描述:Zener Diode 11V 200mW ±5% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX84C11VLFHT116 功能描述:ZENER DIODE (AEC-Q101 QUALIFIED) 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX84C11TS-7-F 功能描述:Zener Diode Array 3 Independent 11V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效配置:3 個(gè)獨(dú)立式電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BZX84C11-TP 功能描述:Zener Diode 11V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX84C12_D87Z BZX84C12-7 BZX84C12-7-F BZX84C12-E3-08 BZX84C12-E3-18 BZX84C12ET1 BZX84C12ET1G BZX84C12ET3 BZX84C12-G3-08 BZX84C12-G3-18 BZX84C12-HE3-08 BZX84C12-HE3-18 BZX84C12LT1 BZX84C12LT1G BZX84C12LT3 BZX84C12LT3G BZX84C12S-7 BZX84C12S-7-F