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BSC046N10NS3GATMA1

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
BSC046N10NS3GATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC046N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Ta），80A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4100pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），48W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC046N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Ta），80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 10V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC042NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 91μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 37.5V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC042N03ST 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta），50A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3660pF @ 15V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC042N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta），95A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3660pF @ 15V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1
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