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BTS824R

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
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  • 封裝
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  • BTS824R
    BTS824R

    BTS824R

  • 深圳市品業(yè)電子有限公司
    深圳市品業(yè)電子有限公司

    聯(lián)系人:李小姐

    電話:0755-23895664

    地址:華強(qiáng)街道振華路深紡大廈C座2樓2H55

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BTS824R PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 電源開關(guān) IC - POE / LAN Smart Hi-Side Pwr SW 4 Channel
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 開關(guān)數(shù)量
  • Single
  • 開關(guān)配置
  • SPST
  • 開啟電阻(最大值)
  • 7.3 Ohms
  • 串話
  • 帶寬
  • 開啟時(shí)間(最大值)
  • 13 ns
  • 關(guān)閉時(shí)間(最大值)
  • 20 ns
  • 切換電壓(最大)
  • 工作電源電壓
  • 8 V to 26 V
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • TO-220F-6
BTS824R 技術(shù)參數(shù)
  • BTS7960P 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO220-7 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:NovalithIC™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) BTS7960B 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO263-7 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:NovalithIC™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) BTS7930B 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO263-7 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:NovalithIC™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) BTS7904SAKSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V,30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):123nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6100pF @ 25V 功率 - 最大值:69W,96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-13 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS7904BATMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V,30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):121nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6100pF @ 25V 功率 - 最大值:69W,96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D2Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTT60502EKAXUMA1 BTT61002EKAXUMA1 BTT62001EJAXUMA1 BTT62004EMAXUMA1 BTW67-1000 BTW67-200 BTW67-600 BTW68-1000RG BTW68-1200RG BTW68-200RG BTW68-600RG BTW68-800RG BTW69-1000RG BTW69-1200N BTW69-1200RG BTW69-200RG BTW69-600RG BTW69-800RG
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