CDZT2R9.1B

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 100MW 9.1V VMN2
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

CDZT2R9.1B 技術(shù)參數(shù)

CDZT2R8.2B 功能描述:Zener Diode 8.2V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not For New Designs 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，扁平引線供應商器件封裝:VMN2 標準包裝:8,000 CDZT2R7.5B 功能描述:Zener Diode 7.5V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not For New Designs 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，扁平引線供應商器件封裝:VMN2 標準包裝:8,000 CDZT2R6.8B 功能描述:Zener Diode 6.8V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，扁平引線供應商器件封裝:VMN2 標準包裝:1 CDZT2R6.2B 功能描述:Zener Diode 6.2V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not For New Designs 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，扁平引線供應商器件封裝:VMN2 標準包裝:1 CDZT2R5.6B 功能描述:Zener Diode 5.6V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，扁平引線供應商器件封裝:VMN2 標準包裝:1 CDZT2RA6.2B CDZT2RA6.8B CDZT2RA7.5B CDZT2RA8.2B CDZT2RA9.1B CDZVT2R10B CDZVT2R11B CDZVT2R12B CDZVT2R15B CDZVT2R16B CDZVT2R18B CDZVT2R2.0B CDZVT2R2.2B CDZVT2R2.4B CDZVT2R2.7B CDZVT2R20B CDZVT2R27B CDZVT2R3.0B