CIGT160806UM1R0MNC

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： CIGT160808XMR24MNC CIGT1608R6EH1R0MNC CIGT201206EH1R0MNE CIGT201206UM1R0MNE CIGT201208EH1R0MNE CIGT201208EH2R2MNE CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE

CIGT160806UM1R0MNC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CIGT160806UM1R0MNC PDF下載

功能描述
FIXED IND 1UH 1A 125MOHM SMD
制造商
samsung electro-mechanics
系列
CIGT
零件狀態(tài)
在售
類型
薄膜
材料 - 磁芯
金屬合成物
電感
1μH
容差
±20%
額定電流
1A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
125 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
特性
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
0603（1608 公制）
供應商器件封裝
0603（1608 Metric）
大小/尺寸
0.063" 長 x 0.032" 寬（1.60mm x 0.80mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.032"（0.80mm）
標準包裝
4,000

CIGT160806UM1R0MNC 技術參數

CIG32W1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 60 mOhm 1210 (3225 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG32W 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:60 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG32H2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.6A 125 mOhm 1210 (3225 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG32H 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:2.9A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:125 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.8A 40 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22L6R8MNE 功能描述:6.8μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 203 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:203 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 110 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE CIGT201210UMR16MNE CIGT201210UMR24MNE CIGT201210UMR47MNE CIGT201210UMR47SNE