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CMPDM7002AG BK

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 280mA（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 2 歐姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 0.59nC(4.5V)
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 50pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 350mW
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOT-23
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,500
CMPDM7002AG BK 技術(shù)參數(shù)
  • CMPDM303NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 1.8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:590pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPDM302PH TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:91 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.6nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPDM203NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 1.6A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:395pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPDM202PH TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:88 毫歐 @ 1.2A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPD914E TR 功能描述:Diode Standard 75V 250mA Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:970mV @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPFJ176 TR CMPH1 CMPH1C CMPH1W CMPH2 CMPH2C CMPH2W CMPHF1 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR CMPSH05-4C TR
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