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CMUHF316

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CMUHF316
    CMUHF316

    CMUHF316

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Laird Technologies IAS

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • CMUHF316
    CMUHF316

    CMUHF316

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：譚玉麗

    電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • Laird Technologies IAS

  • 原裝

  • 12+

  • -

  • 授權分銷 現貨熱賣

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
CMUHF316 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • CONN MINI UHF MALE CRIMP-ON
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 連接器，互連式 >> 同軸，RF
  • 系列
  • *
  • 標準包裝
  • 25
  • 系列
  • SMB
  • 連接器類型
  • SMB
  • 連接器類型
  • 插座，公形引腳
  • 觸點終端
  • 焊接
  • 阻抗
  • 50 歐姆
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 緊固型
  • 卡入式
  • 纜線組
  • -
  • 頻率 - 最大
  • 4GHz
  • 特點
  • -
  • 顏色
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 其它名稱
  • Q592993
CMUHF316 技術參數
  • CMUDM8005 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 350mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUDM7005 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUSBAAEI CMUSBAAIG CMUSBAAIW CMUSBAAWH CMUSH05-4 TR CMUSH2-4 TR CMUSH2-4A TR CMUSH2-4S TR CMUT19 CMUT2222A BK CMUT2222A TR CMUT2907A BK CMUT2907A TR CMUT3904 BK CMUT3904 TR CMUT5087E TR CMUT5088E TR CMUT5179 TR
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