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CMZ47 TE12R

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  • CMZ47 TE12R
    CMZ47 TE12R

    CMZ47 TE12R

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話(huà)：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 42000

  • TOSHIBA

  • M-FLAT

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠(chǎng)，正品保證

  • CMZ47 TE12R
    CMZ47 TE12R

    CMZ47 TE12R

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • M-FLAT

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  • CMZ47 TE12R
    CMZ47 TE12R

    CMZ47 TE12R

  • 深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
    深圳市軒盛達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話(huà)：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103

  • 10000

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  • 1
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CMZ47 TE12R 技術(shù)參數(shù)
  • CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 17V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 16V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 14V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13
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