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CPC3708CTR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CPC3708CTR
    CPC3708CTR

    CPC3708CTR

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1000

  • IXYS INTEG.CIRCUITS DIV(C

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

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  • 1
CPC3708CTR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89
  • 制造商
  • ixys integrated circuits division
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 耗盡模式
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 350V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 5mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 14 歐姆 @ 50mA,350mV
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • -
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • -
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 300pF @ 0V
  • 功率 - 最大值
  • 1.1W
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 110°C(TA)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOT-89
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CPC3708CTR 技術(shù)參數(shù)
  • CPC3703ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 200mA,0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 CPC3703CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):360mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 200mA,0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPC3703C 功能描述:MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):360mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 200mA,0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 CPC3701CTR 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 300mA,0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 CPC3701C 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 300mA,0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 CPC3909ZTR CPC3960ZTR CPC3980ZTR CPC3982TTR CPC40055ST CPC44055ST CPC5001G CPC5001GS CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N
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